IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

    IGBT按緩沖區(qū)的有無來分類，緩沖區(qū)是介于P+發(fā)射區(qū)和N-飄移區(qū)之間的N+層。無緩沖區(qū)者稱為對稱型IGBT，有緩沖區(qū)者稱為非對稱型IGBT。因為結(jié)構(gòu)不同，因而特性也不同。非對稱型IGBT由于存在N+區(qū)，反向阻斷能力弱，但其正向壓降低、關(guān)斷時間短、關(guān)斷時尾部電流��；與此相反，對稱型IGBT具有正反向阻斷能力，其他特性卻不及非對稱型IGBT。目前商品化的IGBT單管或模塊大部分是非對稱型IGBT。

    構(gòu)成本土 IGBT 市場需求主體主要為智能電網(wǎng)、高鐵建設(shè)、電機節(jié)能與家電節(jié)能這四大領(lǐng)域。中國在智能電網(wǎng)與高鐵建設(shè)領(lǐng)域擁有國際領(lǐng)先技術(shù)，這些領(lǐng)域?qū)?IGBT國產(chǎn)化需求迫切，而這種國產(chǎn)化突破更包含了 IGBT 技術(shù)的突破（該領(lǐng)域 IGBT 技術(shù)壁壘最高）。家電節(jié)能以空調(diào)、冰箱與洗衣機為主，這些領(lǐng)域中國家電企業(yè)已經(jīng)具備一定的國際競爭力，更為 IGBT 國產(chǎn)化掃清了認知障礙。因此，龐大的市場基礎(chǔ)與需求方對 IGBT 技術(shù)國產(chǎn)化的迫切需求共同推動中國本土企業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新，加速我國 IGBT 國產(chǎn)化進程：

     據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計數(shù)據(jù)：2015年12月，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額為276.2億美元，較上年同期的291.3億美元下降4.4%； 2015年1-12月全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額達到3335.2億美元，同比下降0.2%。

2007-2014年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額
 

資料來源：美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會

    博思數(shù)據(jù)發(fā)布的《2017-2022年中國IGBT功率模塊市場深度調(diào)研與投資前景研究報告》，2015年12月美洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額度為5.75億美元，同比下降14.5%，環(huán)比下降5.2%；歐洲市場銷售額為2.77億美元，同比下降7.9%，環(huán)比下降5.7%；日本市場銷售額為2.57億美元，同比下滑8.1%；環(huán)比下降為4.4%。

    IGBT 的工業(yè)應(yīng)用包括交通控制、功率變換器、工業(yè)電機、不間斷電源、風電與太陽能設(shè)備，以及用于自動控制的變頻器。在消費方面，IGBT 用于家用電器、相機和手機等。

    據(jù)Infineon 統(tǒng)計：2010年全球IGBT市場規(guī)模為30.06億美元，2011年全球IGBT市場規(guī)模激增至40.34億美元，增速達34%。當中Infineon公司IGBT銷售業(yè)務(wù)從2010年的6.1億美元上升至2011年的7.8億美元。2012-2013年全球IGBT市場規(guī)模下滑較為明顯，2014年全球IGBT市場規(guī)�；厣�至38.45億美元，2015年全球IGBT市場規(guī)�；芈渲�36.21億美元。

2010-2015年全球IGBT市場規(guī)模統(tǒng)計
 

資料來源：Infineon